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| ▲ SK하이닉스는 차세대 고사양 모바일 기기에 채용될 수 있는 6Gb(기가비트)
LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했다. | SK하이닉스(대표 박성욱)는
차세대 고사양 모바일 기기에 채용할 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했다고 30일 밝혔다. 이
제품은 20나노급 기술이 적용됐고, 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 최적의 모바일 메모리 솔루션이다.
이 제품을 4단 적층하면
3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해
동작전력뿐 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄고, 패키지 높이를 얇게 구성할 수 있다. 또 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일
기기가 요구하는 저전력의 특성을 만족시킨다.
속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글채널은 최대 초당
7.4GB, 듀얼채널의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이번에 개발된 제품은 'PoP(Package on Package)'
구성으로 모바일 기기에 사용할 수 있다.
3GB LPDDR3 제품은 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화 될
것으로 예상되며, 2015년까지 채용될 전망이다.
진정훈 마케팅본부장은 "지난 6월 세계 최초로 고용량인 8Gb LPDDR3를
개발한데 이어 이번에 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발해 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다" 며 "특히 고사양 모바일
기기에 최적화된 메모리 솔루션인 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 수 있게 됐다"고
밝혔다.
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